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標題Title: Advantages of blue InGaN MQW LED with InGaN barriers_1
作者Authors: 邱裕中
上傳單位Department: 電子工程系
上傳時間Date: 2012-12-4
上傳者Author: 邱裕中
審核單位Department: 電子工程系
審核老師Teacher: 邱裕中
檔案類型Categories: 研究生論文報告Thesis
關鍵詞Keyword: efficiency droop、InGaN barriers
摘要Abstract: The quantum efficiency (QE) of conventional InGaN/
GaN multiquantum well MQW light-emitting diodes
LEDs reaches its peak at low current density and mono-
tonically decreases with further increasing drive current.

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