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標題Title: 探討不同氧氣濃度於五氧化二釩薄膜在非揮發性變阻式記憶體元件之應用
作者Authors: 鄭建民,吳佳霖..等
上傳單位Department: 電子工程系
上傳時間Date: 2009-11-22
上傳者Author: 鄭建民
審核單位Department: 電子工程系
審核老師Teacher: 鄭建民
檔案類型Categories: 論文Thesis
關鍵詞Keyword: 非揮發性電阻式記憶體,射頻磁控濺鍍系統,介電薄膜,導通電流,保持性
摘要Abstract: 本研究是利用射頻磁控濺鍍法沉積五氧化二釩介電薄膜, 在矽基板上製作成之(Metal-Insulator-Semiconductor,MIS)結構,探討其結構特性在於非揮發性電阻式記憶體元件之應用。並藉由不同之濺鍍參數的改變,探討結構中五氧化二釩介電薄膜對於非揮發性之電阻式記憶體元件的影響。另外在MIS之結構中,對於五氧化二釩薄膜將利用不同快速熱退火溫度來改善其物性與電特性。以期藉由改善非揮發性電阻式記憶體元件中之最佳物性與電性。由本實驗之結果可以發現五氧化二釩薄膜最佳沉積參數為氧氣濃度40 %與濺鍍功率為200W,另外在外加電場0.6 MV/cm 時五氧化二釩薄膜的漏電流大小約為1×10-5 A/cm2,另外可以由電性發現,五氧化二釩非揮發性之電阻式記憶體元件on/off ratio 為103,另外在本研究中非揮發性之電阻式記憶體元件保持性可達到109 次數。

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2009_11_0cdc5ec5.pdf 286Kb pdf 477 416
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