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標題Title: 探討不同氧氣濃度對於Bi3.9La0.1Ti2.9V0.1O12 鐵電薄膜特性於非揮發性記憶體元件之應用
作者Authors: 鄭建民,吳光耀..等
上傳單位Department: 電子工程系
上傳時間Date: 2009-11-22
上傳者Author: 鄭建民
審核單位Department: 電子工程系
審核老師Teacher: 鄭建民
檔案類型Categories: 論文Thesis
關鍵詞Keyword: 射頻磁控濺鍍系統,鐵電薄膜,記憶窗口,介電常數,漏電流
摘要Abstract: 本研究是利用射頻磁控濺鍍法沉積Bi3.9La0.1Ti2.9V0.1O15 (BLTV)鐵電薄膜, 於矽基板上製作成(Metal-Ferroelectric-Insulator-Semiconductor, MFIS)結構,探討其結構特性於非揮發性鐵電記憶體元件之應用。藉由濺鍍參數不同的氧氣濃度探討結構中BLTV 鐵電薄膜的影響。另外在結構中,對於BLTV薄膜利用不同快速熱退火溫度來改善其物性與電特性。以期改善非揮發性鐵電記憶體元件中BLTV薄膜在閘極氧化層中之最佳電性。薄膜物理分析方面,由XRD關係圖,可發現隨著氧氣濃度的增加,薄膜結晶特性也隨之變佳。電性分析方面,在MFIS的結構下,發現於氧氣濃度為40%的沉積條件下,薄膜在矽基板上的記憶窗口約為5V。在外加電場0.5 MV/cm 時,薄膜矽基板的漏電流大小約為5×10-9 A/cm2,隨著氧氣濃度增加,薄膜中的漏電流有逐漸降低的趨勢,然而薄膜在氧氣濃度40 %時具有漏電流最小的現象。

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