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標題Title: 基材種類對原子層沉積TiO2薄膜性質之影響
作者Authors: 謝煜弘
上傳單位Department: 光電工程系
上傳時間Date: 2009-11-25
上傳者Author: 謝煜弘
審核單位Department: 光電工程系
審核老師Teacher: 謝煜弘
檔案類型Categories: 論文Thesis
關鍵詞Keyword: 原子層沉積、TiO2
摘要Abstract: 本研究利用原子層沉積法,在200℃~500℃沉積溫度下,以TiCl4和H2O為反應前驅物,在高摻雜n型矽基板及
被覆Ti、Ta和Ni的玻璃基板上成長TiO2薄膜,探討其成長速率、表面形態、薄膜結構及光響應特性。實驗結果
顯示,不同種類基板上,TiO2薄膜成長速率幾乎不受製程溫度影響,約為0.05 nm/ctycle;結構方面,Si基板上
成長的TiO2,成長溫度400℃以下都是anatase相,500℃才有rutile相出現,在Ta及Ni基板上400℃就有rutile相出
現,在Ti基板上rutile出現的溫度更降低至300℃,表面形態方面,200℃成長的晶粒最大,300℃與400℃成長的
晶粒最小,而500℃成長的晶粒又變大。光電流響應方面,在Ti基板上成長TiO2可獲得最佳的光電流響應。

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