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標題Title: 鋁/矽膜厚比對誘發多晶矽之成長機制與結晶性之影響
作者Authors: 管鴻,楊茹媛..等
上傳單位Department: 光電工程系
上傳時間Date: 2009-11-27
上傳者Author: 管鴻
審核單位Department: 光電工程系
審核老師Teacher: 管鴻
檔案類型Categories: 論文Thesis
關鍵詞Keyword: 鋁誘發、非晶矽、多晶矽
摘要Abstract: 本研究探討以不同鋁/矽薄膜厚度比值對鋁誘發(Aluminum Induced Crystallization, AIC)多晶矽的枝狀物成長機制與結晶性之影響。本實驗以電漿輔助式化學氣相沉積系統(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD)沉積80nm的非晶矽薄膜,接著以蒸鍍 (Evaporator)系統沉積不同厚度的蒸鍍鋁(20、40、80、160nm)薄膜。再以退火溫度350℃及持溫時間15min進行退火處理,並於退火處理後,將表面殘存的鋁薄膜進行蝕刻,然後進行光學顯微鏡(Optical Microscope, OM)、原子力顯微鏡(Atomic Force Microscope, AFM)與拉曼(Raman)進行枝狀物成長機制,結晶性與表面形貌分析。

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