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標題Title: Improvement in performance of GaN-based light-emitting diodes with indium tin oxide based transparent ohmic contacts
作者Authors: 管鴻,黃順源..等
上傳單位Department: 光電工程系
上傳時間Date: 2009-11-27
上傳者Author: 管鴻
審核單位Department: 光電工程系
審核老師Teacher: 管鴻
檔案類型Categories: 研究生論文報告Thesis
關鍵詞Keyword: 電子束蒸發系統(E-Beam),銦錫氧化物(ITO)
摘要Abstract: 利用電子束蒸發系統使ITO(500nm)和Ni/Au(2nm/9nm)薄膜沉積在InGaN/GaN多量子井LED 的p-GaN磊晶層上,在20mA退火後的ITO與Ni/Au薄膜當作p型接觸順向電壓分別是3.5v與3.2v,具有ITO電激發光與光強度分別增加85%與60%光強度轉換效率
30mA與55°C的連續24小hr測試,光強度有者非常小的減少(<1%),MQW LED光強度在1000hr的測試保持開始亮度的80%

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2009_11_05b66ca2.ppt 292Kb ppt 306 699
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