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標題Title: Low-temperature Al-induced crystallization of hydrogenated amorphous Si1−xGex
作者Authors: 管鴻,Jheng-Jie..等
上傳單位Department: 光電工程系
上傳時間Date: 2009-11-27
上傳者Author: 管鴻
審核單位Department: 光電工程系
審核老師Teacher: 管鴻
檔案類型Categories: 研究生論文報告Thesis
關鍵詞Keyword: 低溫多晶矽,矽鍺合金
摘要Abstract: It is shown that the crystallization of hydrogenated a-Si1−xGex films begins at the Al/a-Si1−xGex interface and the Al-induced layer exchange significantly promotes the crystallization of the films.

The Ge–Ge and Si–Ge peaks shift to a higher frequency with the increase of the Ge fraction.

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2009_11_69bde2af.ppt 1020Kb ppt 310 187
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