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標題Title: 電子束蒸鍍不同奈米鋁膜厚度對非晶矽誘發成多晶矽之微結構與載子移動率之影響
作者Authors: 管鴻,楊茹媛..等
上傳單位Department: 光電工程系
上傳時間Date: 2009-11-27
上傳者Author: 管鴻
審核單位Department: 光電工程系
審核老師Teacher: 管鴻
檔案類型Categories: 論文Thesis
關鍵詞Keyword: 鋁誘發、非晶矽、多晶矽
摘要Abstract: 本研究以鋁誘發(Aluminum Induced Crystallization, AIC)多晶矽之方法,探討以不同電子束蒸鍍鋁薄膜厚度對AIC的影響。本實驗以80nm的非晶矽薄膜,配合以電子束蒸鍍系統沉積不同厚度的蒸鍍鋁(20、40、80、160nm)薄膜。在退火溫度350℃及持溫時間15min進行退火處理,並於退火處理後以得到多晶矽薄膜。藉由X光繞射儀(XRD)、場發射掃瞄式電子顯微鏡(FE-SEM)與霍爾(Hall)量測觀察蝕刻鋁金屬前後,所誘發之多晶矽之顯微結構(結晶性與表面形貌)與載子移動率之分析。於蒸鍍鋁20nm薄膜厚度條件下,皆可有誘發多矽薄膜。其中,蒸鍍鋁厚度為80nm條件下,其具有最佳的結晶性,且隨著鋁薄膜厚度的增加,結晶有漸漸減弱的趨勢。所得到之載子移動率皆分佈在1-3cm2/s-v之間,與電子束蒸鍍奈米鋁厚度無明顯關係,猜測原因可能是重摻雜鋁變成雜質而造成雜質散射有關。

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