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標題Title: 原子層沉積氮摻雜二氧化鈦薄膜之微結構、能隙及光電流特性研究
作者Authors: 鄭錫恩,李孟融..等
上傳單位Department: 光電工程系
上傳時間Date: 2009-11-27
上傳者Author: 鄭錫恩
審核單位Department: 光電工程系
審核老師Teacher: 鄭錫恩
檔案類型Categories: 論文Thesis
關鍵詞Keyword: 原子層沉積、氮摻雜、二氧化鈦、光觸媒
摘要Abstract: 本研究利用原子層沉積技術,以四氯化鈦與氨水為反應前驅物,於n+-Si基材上成長氮摻雜二氧化鈦光觸媒薄膜,藉由改變製程溫度(200 ~ 600℃)與氨水蒸發溫度(5, 25℃)來探討不同製程溫度與氨氣/水氣飽和蒸汽壓比例對薄膜性質之影響。以XRD分析薄膜之結晶結構、SEM觀察薄膜之表面顯微型態、XPS進行薄膜組成成分與化學型態分析、恆電位儀搭配可調變波長之單光源進行薄膜之光電響應分析。實驗結果顯示製程溫度在300oC以上才有置換型β-N產生,氨水5oC的β-N摻雜略高於氨水25oC。製程溫度400℃、氨水蒸發溫度5℃之製程條件下所成長之氮摻雜二氧化鈦薄膜具有最佳可見光響應特性,其光響應截止波長由387 nm延伸至551 nm,能隙由3.20 eV縮減為2.25 eV。

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