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標題Title: 氧化銦錫透明導電薄膜光特性與電特性之研究探討
作者Authors: 管鴻,廖春翔..等
上傳單位Department: 光電工程系
上傳時間Date: 2009-12-1
上傳者Author: 管鴻
審核單位Department: 光電工程系
審核老師Teacher: 管鴻
檔案類型Categories: 專題報告Project Report
關鍵詞Keyword: 氮化物LED, ITO電極,氧化鋅
摘要Abstract: 隨著透明導電膜應用在LED上的需求增加,透明導電膜的研究也越來越受到重視,而現在應用最廣泛的就是ITO透明導電膜,它具有極低電阻率及高穿透率且在製程上發展相當的穩定。
因此我們對ITO透明導電膜做了一些參數的改變,去找出ITO透明導電膜最好的穿透率、電阻率、載子濃度。
由實驗得知,分別做了200 nm 與 300 nm 厚度的膜去比較發現,多了100 nm 的膜特性並沒有明顯的比較好,而且使用的耗材量也較多,所以就使用200 nm 的膜去做氣體與溫度改變,得到氧氣的穿透率、載子濃度、電阻率為較佳,再以氧氣去改變持平時間,最後得到最好穿透率、載子濃度、電阻率。
近年來,由半導體製程技術術的進步,使得氧化銦錫(Indium TinOxide,ITO) 在LED中扮演著非常重要傳導電極的重要角色。
目前光電產業主要的導電材料主要採用氧化銦錫(Tindopedindium oxide, ITO),ITO 主要是在氧化銦中加入5~10 %的錫(Tin),藉由4 價的Sn 置換了3 價的In 位置,因此一個摻雜物的原子可以提供一個載子。摻雜機制在於理論上可提升薄膜電性,將載子濃度增加,電阻值也由提升不少。
近年對於氧化銦錫 的研究除強調最佳製程化對於光電特性的提昇之外,也特別重視如何在低製程溫度條件下提昇氧化銦錫 的結晶性。氧化鋅(Zinc oxide, ZnO) 材料具有c 軸優選方位成長取向,在可見光區呈現透明,近年有學者以多晶ZnO 薄膜為阻絕層,於低製程溫度下沉積出具有高結晶性的ITO 薄膜,但相關研究都是利用濺鍍方式在玻璃基板上沉積薄膜,因此本研究將以離子束輔助蒸(Ion-beamassistedevaporation, IBAD)法,在聚醚堸(Polyethersulfone, PES)塑膠基板沉積氧化鋅阻絕層及銦錫氧化物薄膜,探討氧化鋅阻絕層、氧流量與離子源參數對銦錫氧化物薄膜結構、電性及光性的影響。

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2009_12_23566b1c.doc 35Kb doc 1321 650
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