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標題Title: 微波光電元件
作者Authors: 管鴻
上傳單位Department: 光電工程系
上傳時間Date: 2010-6-22
上傳者Author: 管鴻
審核單位Department: 光電工程系
審核老師Teacher: 管鴻
檔案類型Categories: 教學檔Teaching Material
關鍵詞Keyword: 砷化鎵,三-五族材料
摘要Abstract: 砷化鎵微波元件(GaAs)因為電子有效質量較矽為小,所以其電子遷移率( Mobility) 也較矽元件高出很多,回顧其應用歷史,由早期的金屬─半導體場效電晶體(MESFET),到高電子遷移率場效電晶體(HEMT),再演變到異質接面雙載子電晶體(HBT),如今已經在微波系統的應用上已是一枝獨秀,成為無線通訊科技中重要的核心零件。

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